ЦКП «Физика и технология микро- и наноструктур» (ЦКП Нано ТехНН)

Руководитель
к.ф.-м.н. Шашкин Владимир Иванович

Тематика исследований
Исследование локальных свойств наноразмерных тонкопленочных структур методами сканирующей зондовой микроскопии и спектроскопии.
Создание и исследование магнитных и сверхпроводящих наноструктур, а также гибридных систем на их основе.
Изготовление и диагностика многослойных оптических элементов для рентгеновского диапазона и вакуумного ультрафиолета.
Исследование циклотронного резонанса, остаточной фотопроводимости и спин-зависимых явлений в гетероструктурах с квантовыми ямами.
Исследования оптических и оптоэлектрических свойств микро- и наноструктур.
Экспериментальные и теоретические исследования по созданию физических основ новой элементной базы сверхпроводниковой электроники.
Разработка научно-исследовательской аппаратуры для многофункционального оперативного контроля параметров пленок, пластин и слоистых структур.
Исследование умножителей частоты и диодов Шоттки с пониженным барьером, генераторов на горячих электронах в гетероструктурах и примесных фотоприемников.
Исследование механизмов роста и эффектов самоорганизации при газофазной эпитаксии.
Исследование процессов формирования, модификации и физико-химических свойств высокочистых и наноструктурированных полупроводников, диэлектриков и металлов.

Оборудование
Дифрактометр рентгеновский Philips X'Pert PRO MRD, Philips, Нидерланды, 2002 г.
Дифрактометр рентгеновский PANalitical X'Pert PRO MRD, PANalitical, Нидерланды, 2006 г.
Стенд рентгеновской спектроскопии для диапазона 0.8-200нм.
Стенд спектральных измерений на основе лазерно-плазменного источника, 4 -50 нм.
Аналитический электронный микроскоп JEM 2000EXII, JEOL, Япония, 1989 г.
Сканирующий электронный микроскоп Supra 50VP, Karl Zess, Германия, 2005 г.
Комплект оборудования подготовки объектов для электронной микроскопии.
Комплекс сканирующих зондовых микроскопов "Solver" , 1998- 2006 гг.
Комплекс фурье-спектроскопии высокого разрешения на основе BOMEM DA3.36.
Фурье-спектрометр Vertex 80V, BRUKER OPTIC GmbH, Германия, 2006 г.
Стенд импульсных лазеров и параметрических генераторов света "Фемтоспектр", 2005-2006 гг.
Комплект для СВЧ-измерений сверхпроводников. Agilent, Tektonix, USA, 2004, 2006 гг.
Оптическая измерительная система Talysurf CCI 2000, Taylor & Hobson, UK, 2006 г.

Услуги
Рентгено-дифракционные исследования
Определение концентрации 2-х компонентных твердых растворов и уровня остаточных упругих напряжений в эпитаксиальных слоях GexSi1-x; InxGa1-xAs; GaAs1-xPx; InAs1-xPx; GaAs1-xNx и др.
Определение параметров многослойных эпитаксиальных структур методом рентгеновской дифрактометрии. Толщина слоев, состав, период повторения.
Измерение толщины тонких слоев и шероховатости поверхности по угловым спектрам рассеяния жесткого рентгеновского излучения.
Определение параметров многослойных зеркал с помощью рентгеновской рефлектометрии. Толщина слоев, период повторения и дисперсия.
Определение отклонения среза пластины от кристаллографической плоскости.
Анализ эпитаксиальных слоев высокотемпературного сверхпроводника YBa2Cu3O7-d.

Рентгено-оптические (спектральные) измерения
Измерение толщины слоев и шероховатости границ многослойных структур по угловым и спектральным зависимостям коэффициента отражения мягкого рентгеновского излучения.
Измерение коэффициентов отражения мягкого рентгеновского излучения с относительной точностью до 1%. для диапазона 0.6-200нм,

Аналитическая электронная микроскопия
Диагностика структуры тонких объектов (толщиной до ~ 100 нм) с помощью методов дифракции быстрых электронов и просвечивающей электронной микроскопии
Определение элементного состава объектов (количественные измерения), толщины и состава тонких пленок, построение карт распределения элементов и фаз с помощью методов энергодисперсионного рентгеновского микроанализа.
Диагностика тонких объектов методом спектроскопии характеристических потерь электронов (включая количественные измерения толщины и состава тонких пленок).
Морфометрический анализ субмикронных и нанометровых неоднородностей и частиц.
Сканирующая электронная микроскопия разнообразных объектов (в том числе и непроводящих) без предварительной подготовки.
Формирование структур на поверхности твердого тела с помощью методов электронной литографии.

Сканирующая зондовая микроскопия
Измерение шероховатости поверхностей с негауссовым распределением по высотам.
Определение шероховатости подложек.
Реконструкция реального рельефа поверхности с учётом нелокальности взаимодействия зонд-поверхность в сканирующей туннельной микроскопии.

Оптические прецизионные измерения линейных размеров и толщин
Интерферометрическое измерение физических параметров прозрачных слоев.
Интерферометрическое восстановление 3-х мерного изображения поверхности.

Аналитические измерения методом вторично-ионной масс-спектрометрии
Измерение профиля распределения состава по глубине образца с высокой чувствительностью и высоким разрешением методом вторично-ионной масс-спектрометрии.

Спектроскопия фотопроводимости, фото- и электролюминесценции
Измерение концентрации кислородсодержащих термодоноров с энергией ионизации 45-69 Мэв в кремнии методом абсорбционной ИК спектроскопии.
Определение внешней квантовой эффективности в кремниевых светоизлучающих структурах, легированных эрбием.
Определение электроактивных примесей в моноизотопном кремнии.
Определение методом релаксационной спектроскопии электрически активных центров с глубокими уровнями в кремниевых светоизлучающих структурах, легированных эрбием.
Профилирование электрически активных центров с глубокими уровнями в кремниевых структурах, легированных эрбием.
Определение состава и ширины квантовых ям в полупроводниковых гетероструктурах методом фотолюминесценции.
Стационарная и время-разрешающая спектроскопия полупроводниковых структур в видимом и ближнем инфракрасном диапазонах длин волн 0,2-2мкм.

Фурье-спектроскопия
Исследование спектров пропускания, фотопроводимости, люминесценции и стимулированного излучения полупроводниковых структур, кристаллов и диэлектрических материалов методом Фурье-спектроскопии.

Диагностика электрофизических параметров полупроводниковых микроструктур и нестационарная спектроскопия глубоких уровней
Определение профиля легирования полупроводников методом электрохимического C-V профилирования.
Определение высоты барьера в гетероструктурах GaAs/AlGaAs методом измерения температурных зависимостей вольтамперных характеристик.

Исследования магнитных и сверхпроводящих свойств плёнок и наноструктур
Измерение магнитооптических параметров магнитных пленок на основе эффектов Керра и Фарадея.
Измерение остаточной намагниченности и распределения намагниченности в плоскости пленки, а также температурной и полевой зависимости остаточной намагниченности.
Измерение вольт-амперных характеристик сверхпроводящих мостиков и джозефсоновских переходов, их зависимости от температуры, напряженности магнитного поля и мощности СВЧ излучения.
Измерение нелинейных свойств тонких сверхпроводящих пленок и распределения нелинейных свойств и критической температуры в плоскости пленки бесконтактным методом.
Измерение поверхностного СВЧ сопротивления сверхпроводящих плёнок.

Радиоспектроскопия миллиметрового и субмиллиметрового диапазона длин волн
Спектральные исследования (абсорбция, фотопроводимость) и магнитоспектроскопия в миллиметровом и субмиллиметровом диапазонах длин волн.

Контактная информация

603950, Нижний Новгород, ГСП-105
Телефон: (831) 238-55-36; факс: (831) 238-55-53. E-mail: sha@ipm.sci-nnov.ru 
http://www.ipm.sci-nnov.ru/rus/CENTRE/index.html