| |
Номер ГК
|
Тема исследования, разработки
|
Организация
(головной исполнитель)
|
Дополнительно
|
| 21 |
02.513.11.0020
|
Создание физико-технологических принципов формирования самоорганизующихся кристаллических наноструктур для функциональной электроники и сенсорики
|
Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования «Московский государственный институт электронной техники (технический университет)»
|
Аннотация
Резюме
|
| 22 |
02.513.11.0021
|
Физика и технология материалов фотоники (монокристаллы, стекла, нанокерамика)
|
Учреждение Российской академии наук Институт общей физики им. А.М. Прохорова РАН
|
Аннотация
Резюме
|
| 23 |
02.513.11.0022
|
Оптические материалы, активные и пассивные компоненты для терагерцового, ближнего и среднего ИК- диапазонов
|
Учреждение Российской академии наук Институт общей физики им. А.М.Прохорова Российский академии наук
|
|
| 24 |
02.513.11.0023
|
Композиты на основе полимерных матриц, модифицированных за счет введения наночастиц или создания наноструктур, обеспечивающие качественное улучшение эксплуатационных свойств материалов и изделий
|
Институт синтетических полимерных материалов им. Н.С.Ениколопова Российской академии наук (ИСПМ РАН)
|
Аннотация
Резюме
|
| 25 |
02.513.11.0024
|
Наноструктурированные функциональные полимерные системы
|
Государственное учебно-научное учреждение Физический факультет Московского государственного университета имени М.В. Ломоносова
|
Аннотация
Резюме
|
| 26 |
02.513.11.3152
|
Обобщение и оценка результатов исследований
|
Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования «Московский государственный институт электронной техники (технический университет)»
|
|
| 27 |
02.513.11.3153
|
Разработка технологических основ получения кристаллов кубического нитрида галлия методом хлорид-гидридной эпитаксии. Разработка технологических основ получения кристаллов CdZnTe с заданными электрофизическими параметрами. Разработка технологических основ получения крупногабаритных монокристаллов арсенида индия и антимонида индия с высокой степенью однородности электрофизических параметров
|
Открытое акционерное общество Государственный научно-исследовательский и проектный институт редкометаллической промышленности «ГИРЕДМЕТ»
|
Аннотация
Резюме
|
| 28 |
02.513.11.3154
|
Создание и исследование регулярных наноразмерных структур на сверхгладких поверхностях оксидных кристаллов для формирования на них полупроводниковых функциональных элементов и упорядоченных ансамблей наночастиц
|
Институт кристаллографии им. АВ.Шубникова РАН
|
Аннотация
Резюме
|
| 29 |
02.513.11.3155
|
Исследование электрофизических свойств функциональных структур
металл-диэлектрик-полупроводник
|
Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования «Московский инже-нерно-физический институт (государственный универ-ситет)» (МИФИ)
|
|
| 30 |
02.513.11.3156
|
Исследование характеристик фотодетекторов
|
Институт физики полупроводников Сибирского отделения РАН
|
|
| 31 |
02.513.11.3157
|
Расчет предельной чувствительности частотно-селективного детектора, изготовление экспериментальных образцов частотно-селективного детектора, генератора гетеродина и сверхпроводниковой микросхемы интегрального спектрометра
|
Учреждение Российской академии наук Институт радиотехники и электроники РАН радиотехники и электроники им.В.А.Котельникова РАН (ИРЭ им.В.А.Котельникова РАН)
|
|
| 32 |
02.513.11.3160
|
Разработка технологии создания биосовместимых наноструктурированных функциональных керамических и композиционных материалов для медицины
|
Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования «Белгородский государственный университет»
|
Аннотация
Резюме
|
| 33 |
02.513.11.3162
|
Разработка рецептур и технологии получения новых высококачественных силиконовых материалов, работоспособных в экстремальных и специфических условиях эксплуатации, предназначенных для изделий электронной, авиационной, судостроительной и других отраслей промышленности
|
Федеральное государственное унитарное предприятие «Государственный ордена Трудового Знамени научно-исследовательский институт химии и технологии элементоорганических соединений»
|
Аннотация
Резюме
|
| 34 |
02.513.11.3163
|
Создание научно-технического задела по технологии получения композитных ионообменных мембран с наноструктурированной поверхностью и включениями нанодисперсных неорганических веществ для высокотемпературной электродиализной переработки растворов, включая химически агрессивные и концентрированные среды
|
ГОУ ВПО «Кубанский государственный университет»
|
Аннотация
Резюме
|
| 35 |
02.513.11.3164
|
Отработка научных основ технологии получения функциональных мембран калиброванной пористости (трековых мембран) с управляемой наноструктурой на основе термо- и химически стойких полимерных материалов
|
Институт кристаллографии имени А.В. Шубникова Российской академии наук
|
Аннотация
Резюме
|
| 36 |
02.513.11.3165
|
Научные основы технологии получения высокопористых тонкослойных мембран с управляемой наноструктурой из непрерывных термо- и хемостойких полимерных нановолокон методом электроспининга
|
ФГУП «НИФХИ им. Л.Я.Карпова»
|
|
| 37 |
02.513.11.3166
|
Разработка научных основ жидкофазных технологий формирования наноструктурированных плёнок с заданными функциональными характеристиками, базирующихся на процессах самосборки коллоидных наночастиц, протекающих в водных или органических средах при нормальных условиях температуры, давления и атмосферы окружающей среды
|
Учреждение Российской Академии наук
Институт проблем химической физики РАН
|
|
| 38 |
02.513.11.3169
|
Разработка методов создания полупроводниковых наноматериалов для высокоэффективных лазеров и светодиодов в спектральной области 0.38-1.54 мкм
|
Учреждение Российской академии наук Институт проблем лазерных и информационных технологий РАН
|
Аннотация
Резюме
|
| 39 |
02.513.11.3171
|
Получение гетероструктур, сочетающих в себе наноразмерные фрагменты метаматериалов с отрицательным и положительным показателями
|
Федеральное государственное унитарное предприятие «Научно-исследовательский и технологический институт оптического материаловедения Всероссийского научного центра «Государственный оптический институт им. С.И. Вавилова»
|
|
| 40 |
02.513.11.3174
|
Разработка лабораторных технологий и оптимизация методов получения различных типов углеродных нанотрубок и новых наноструктур на основе одностенных углеродных нанотрубок, модифицированных внедрением или кристаллизацией неуглеродных веществ внутри канала, для функциональных элементов наноэлектроники и автоэлектронных эмиттеров
|
Институт кристаллографии имени А.В. Шубникова Российской академии наук
|
Аннотация
Резюме
|
