ЗАО «Научное и технологическое оборудование» (НТО)

ГК «Роснанотех»

Проектная компания ЗАО «Научное и технологическое оборудование» (НТО)

Технология молекулярно-пучковой эпитаксии позволяет наносить на поверхность подложки (например, из кремния, сапфира или арсенида галлия) слои различных полупроводниковых и диэлектрических материалов толщиной вплоть до одного атомного слоя. Эти вещества нагреваются в эффузионных камерах установки для эпитаксии. Пучок испарившихся молекул направляется на подложку, где оседает тонким слоем определенного состава. Так, шаг за шагом, можно выращивать многослойную структуру, в которой чередуются материалы с разными свойствами, например, с разным типом проводимости, разной шириной запрещенной зоны. Процесс роста проводится в сверхвысоком вакууме — посторонние молекулы могут привести к искажению свойств создаваемой структуры.
В результате получаются гетероструктуры — новые материалы с необычными свойствами, существование которых было предсказано в начале 60-х годов академиком Леонидом Келдышем. Поскольку с помощью молекулярно-лучевой эпитаксии удается получать сверхтонкие слои толщиной всего в несколько атомов, в материале проявляются квантово-механические эффекты, которые меняют его оптические и электрические свойства. Технология молекулярно-лучевой эпитаксии — одна из первых революционных технологий, которая позволила управлять структурой вещества на наноуровне, создавая материалы с необычными и полезными свойствами.