Энергосберегающие системы освещения на светодиодных чипах

ГК «Роснанотех»

Группа «ОНЭКСИМ»

ОАО «Республиканская инвестиционная компания» (Республика Саха (Якутия))

В рамках проекта создается высокотехнологичное промышленное производство систем освещения нового поколения на основе светодиодных чипов. Начинка чипа – многослойные полупроводниковые гетероструктуры, одним из создателей которых признан лауреат Нобелевской премии академик Ж.И. Алферов. Уникальную технологию их производства разработали ученики Ж.И. Алферова – М. Одноблюдов и В. Бугров. Она обеспечивает рекордно низкое количество дефектов в гетероструктурах, поэтому приборы на их основе работают без потери эффективности при высоких плотностях тока.

Кликните для загрузки .pdf-файла (19 Мбайт)

Светотехника на полупроводниковых наногетероструктурах постепенно вытесняет традиционные источники света, поскольку потребляет меньше электроэнергии, а эксплуатация систем освещения нового поколения обходится дешевле. Продукция предназначена для офисного, уличного и промышленного освещения, автомобилестроения.
Промышленное производство полупроводниковых гетероструктур будет располагаться в г. Санкт-Петербурге.
Общий бюджет проекта* – 3,35 млрд. рублей, в том числе финансирование ГК «Роснанотех» – 1,78 млрд. рублей.

Источник: «Российская корпорация нанотехнологий»