Центр коллективного пользования «Государственный центр испытаний средств измерений научно-исследовательского центра по изучению свойств поверхности и вакуума

Данные о центре коллективного пользования

Полное наименование: Центр коллективного пользования «Государственный центр испытаний средств измерений научно-исследовательского центра по изучению свойств поверхности и вакуума»

Сокращенное название: ЦКП НИЦПВ

Адрес: 119421.г. Москва, ул. Новаторов, 40, корп. 1
Тел.: (495) 935-97-77, 935-97-66    
Факс:(495) 935-96-60  
Е-mail: fgupnicpv@mail.ru
Web-site: www.nicpv.ru

Руководитель ЦКП НИЦПВ – генеральный директор ОАО «НИЦПВ» с 29.06.2004г., доктор физико-математических наук, профессор, декан факультета физической и квантовой электроники МФТИ, заведующий кафедрой нанометрологии МФТИ, заслуженный метролог Российской Федерации,  Лауреат премии Правительства Российской Федерации в области науки и техники, член SPIE Тодуа Павел Андреевич.

Заместитель руководителя ЦКП НИЦПВ  – заместитель генерального директора по научной работе ОАО «НИЦПВ», доктор физико-математических наук, член SPIE Гавриленко Валерий Петрович.

Заместитель руководителя ЦКП НИЦПВ  – заместитель генерального директора ОАО «НИЦПВ», доктор технических наук, почетный метролог РФ Кузин Александр Юрьевич.

Центр коллективного пользования «Государственный центр испытаний средств измерений научно-исследовательского центра по изучению свойств поверхности и вакуума», ЦКП  НИЦПВ, созданв 1996 году на базе 3 научных отделов Научно-исследовательского центра по изучению свойств поверхности и вакуума (приказ № 36 от 10 августа 1996 г.).
В ЦКП проводится комплексное изучение структуры, состава, физико-химических свойств поверхности твердого тела и тонких пленок, характеристик процессов на границах раздела фаз с целью создания высокоточных средств измерений и методов контроля технологических процессов и обеспечения единства измерений в наукоемких технологиях, в том числе, в микро-, нанотехнологии, био- и генной инженерии, точном машиностроении.

Научные разработки ЦКП направлены на удовлетворение современных потребностей широкого круга отраслей и относятся к приоритетным направлениям развития науки и техники, входящим в «Перечень критических технологий Российской Федерации», как-то: «Нанотехнологии и наноматериалы», «Технологии создания электронной компонентной базы» и др.
На базе ЦКП  создана кафедра «Нанометрологии» Московского физико-технического института факультета физической и квантовой электроники, на которой осуществляется  подготовка высококвалифицированных кадров для работ в области нанотехнологий и наноиндустрии.
Ведущие фирмы-изготовители прецизионного научного оборудования ( Hitachi, Jeol, HT-MDT и др.) ежегодно проводят на базе ЦКП НИЦПВ презентации нового оборудования, новых методик, а также мастер-классы для специалистов в области электронной микроскопии.
ЦКП НИЦПВ координирует деятельность Российского национального технического   комитета по стандартизации ТК 441 «Нанотехнологии и наноматериалы».
ЦКП НИЦПВ  аккредитован Федеральным агентством по техническому регулированию и метрологии в качестве Государственного центра испытаний средств измерений.
ЦКП НИЦПВ  аккредитован Федеральным агентством по техническому регулированию и метрологии на техническую компетентность в области поверки средств измерени.
ЦКП НИЦПВ  признан Государственной корпорацией «Российская корпорация нанотехнологий» технически компетентным и соответствующим требованиям, предъявляемым Системой добровольной сертификации продукции наноиндустрии  «Наносертифика», к испытательным лабораториям (центрам).
ЦКП НИЦПВ  Федеральным агентством по техническому регулированию и метрологии присвоен статус Государственного научного метрологического центра (приказ № 118 от 9 февраля 2005 года).

Характеристика материально-технической базы ЦКП
ЦКП  располагает уникальным научным оборудованием для проведения исследований и измерений характеристик поверхности и вакуума. Некоторые приборы являются собственными разработками и не имеют промышленных аналогов.

		1.Растровый электронный микроскоп с приставкой для рентгеновского микроанализа INCAx-sight (фирма OXFORD INSTRUMENTS) и с приставкой для спектральной микрокатодолюминесценции MONO CL (фирма GATAN),  JSM 6460LV, JEОL, Япония, 2003г.Получение увеличенных изображений  объектов  в режиме вторичных и отраженных электронов и проведение локального элементного анализа. Эффективный диаметр зонда-30 нм.
		2. Просвечивающий  электронный микроскоп JEM-2100, JEОL, Япония, 2007г.Получение увеличенных изображений тонких объектов в режиме прохождения электронов через образец. Разрешение по точкам 0,23 нм. Разрешение по решетке 0,14 нм
		3. Двухлучевая ионная/электронная система FIB/SEM  JIB-4500, JEОL, Япония, 2008г. Для препарирования образцов, исследуемых в просвечивающем электронном микроскопе. Разрешение в ионном пучке -5 нм.
		4. Растровый электронный микроскоп S-4800, HITACHI, Япония, 2006г. Получение увеличенных изображений  объектов  в режиме вторичных и отраженных электронов и проведение локального элементного анализа. Эффективный диаметр зонда-10 нм.
		5. Сканирующий зондовый микроскоп Ntegra Aura, ЗАО "Инструменты нанотехнологии", Россия, 2007г. Измерения методами сканирующей зондовой микроскопии (СЗМ). Диапазон измерений 1 нм-100 мкм, погрешность 5%.
		6. Сканирующий зондовый микроскоп SOLVER P47H, ЗАО "НТ-МДТ", Россия, 2000г. Измерения методами сканирующей зондовой микроскопии (СЗМ). Диапазон измерений 1 нм-60 мкм, погрешность 5%.
		7. Дифрактометр высокого разрешения D8 DISCOVERY,  Bruker AXS mbH,Германия, 2005. Измерение углового распределения интенсивности дифракционного спектра в рентгеновском диапазоне длин волн. Погрешность ≤ 0,001°
		8. Рамановский спектрометр высокого разрешения  MICROS-RAMAN Spectroscopy& Imaging GmbH, , Германия, 2004. Измерение спектров комбинационного рассеяния света в конденсированных средах. Диапазон 200-4000 см-1, погрешность <0,5 см-1.
		9. Автоматизированный интерференционный микропрофилометр АИМ, ФГУП "ВНИИОФИ", Россия, 2005г. Измерение параметров микрорельефа поверхности и толщины тонких пленок. Глубина рельефа <20 мкм, погрешность < λ/150, погрешность в плоскости < 0,4 мкм.
		10. Лазерный измеритель наноперемещений  УВТ-100-А-2000, ОАО "НИЦПВ", Россия, 2000 г. Измерение линейных перемещений в нано - и микрометровом диапазонах.  Диапазон измерений линейных перемещений 10-9-10-3 м, погрешность 0,5-3 нм.
		11. Мера ширины и периода специальная МШПС-2.0К, ОАО "НИЦПВ", Россия, 2009г.
		12. Меры штриховые РДР-0,83-1, РДР-1,65-1,Россия, 2007г.
		13. Меры штриховые TGG1, ЗАО "Нанотехнология МДТ", 2000г.
		14. Меры штриховые TGT1, ЗАО "Нанотехнология МДТ", 2000г.
		15.Меры штриховые TGQ1, ЗАО "Нанотехнология МДТ", 2000г.
		16. Меры штриховые TDG01, ЗАО "Нанотехнология МДТ", 2000г.
		17. Набор мер высоты профиля TGZ01, TGZ02, TGZ03, ЗАО "Нанотехнология МДТ", 2000г.

Методики выполнения измерений, разработанные ОАО "НИЦПВ" совместно с Институтом кристаллографии РАН

• ГСИ. Ориентировка крупных кристаллов на рентгеновском дифрактометре. Методика выполнения измерений рентгенодифракционным методом.
• ГСИ.  Линейные и объемные дефекты в кристаллических структурах. Методика выполнения измерений с помощью двухкристального рентгеновского топографического спектрометра.
• ГСИ. Интегральные структурные параметры наночастиц и кластеров в моно- полидисперсных системах, толщина и период повторяемости в тонких пленках.
• ГСИ.  Ориентация образца, параметры элементарной ячейки и симметрия монокристаллов в области температур 10-800К.  Методика выполнения измерений с помощью четырехкружных рентгеновских дифрактометров Enraf-Nonius и Huber.
• ГСИ. Фазовый анализ поликристаллов. Методика выполнения измерений с помощью координатного рентгеновского дифрактометра КАРД-6..
• ГСИ.  Высокоразрешающие пространственно-угловые рефлектометрические измерения.   Методика выполнения измерений с помощью высокоразрешающего сканирующего рефлектометра.
• ГСИ. Параметры структуры монокристаллов и сложных многослойных нанокомпозиций. Методика выполнения измерений рентгенодифракционным методом.
• ГСИ. Гомогенность кристаллических объектов. Методика выполнения измерений методом двухкристальной рентгеновской дифрактометрии.
• ГСИ. Параметры шероховатости сверхгладких поверхностей. Методика выполнения измерений рентгеновским методом.
• ГСИ. Нарушенные слои и нанесенные покрытия. Методика выполнения измерений рентгеновским методом.
• ГСИ. Линейные размеры объектов в диапазоне 2-100 мкм. Методика выполнения измерений на оптическом микроскопе Carl Zeiss E2.
• ГСИ. Спектральные показатели ослабления конденсированных сред в диапазоне длин волн 0,2-50 мкм. Методика выполнения измерений спектрофотометрическим методом.
• ГСИ. Объемное и удельное сопротивления высокоомных кристаллических диэлектриков и полупроводников. Методика выполнения измерений.
• ГСИ. Микротвердость материалов. Методика выполнения измерений микротвердости с помощью микротвердометра ПМТ-3.
• ГСИ. Метрические параметры поверхности. Методика выполнения измерений с помощью сканирующего зондового микроскопа Solver P47.
• ГСИ. Межплоскостные расстояния в кристаллах.  Методика выполнения измерений с помощью просвечивающего электронного микроскопа EM-430ST.
• ГСИ. Линейные размеры элементов топологии микрорельефа поверхности твердотельных материалов.  Методика выполнения измерений с помощью растровых электронных микроскопов JSM-840 и BS-340.
• ГСИ. Структура поверхности кристалла при дифракции электронов на отражение. Методика выполнения измерений электронографическим методом.
• ГСИ. Межплоскостные расстояния в кристаллах в диапазоне 0,1 ÷ 60 нм. Распределение интенсивностей рефлексов в дифракционных картинах. Методика выполнения измерений с помощью электронографа ЭМР-102
• ГСИ. Экспрессная оценка качества кристаллов оксида цинка и исходных материалов по параметру «содержания примеси» Методика выполнения измерений на установке «УЭКК».
• ГСИ. Эффективная шероховатость поверхности. Методика выполнения измерений с помощью сканирующего зондового микроскопа Solver P47.
• ГСИ. Коэффициент электромеханической связи и температурный коэффициент частоты пьезоэлектрических кристаллов Методика выполнения измерений на установке «Пьезо-1».
• ГСИ. Отклонение от плоскостности пластин. Методика выполнения измерений интерференционным методом.
• ГСИ. Ориентация кристаллов сапфира. Методика выполнения измерений на рентгеновском дифрактометре ДРОН-2,0.
• ГСИ. Межплоскостные расстояния в кристаллах в диапазоне 0,08÷60 нм; распределение интенсивностей в дифракционных картинах.  Методика выполнения измерений с помощью электронографа ЭМР-102 (модернизированного) .
• ГСИ. Эффективная шероховатость поверхности. Методика выполнения измерений с помощью сканирующего зондового микроскопа Solver P47.
• ГСИ. Определение плотности приповерхностных слоев многослойных гетероструктур. Методика выполнения измерений с помощью рентгеновского высокоразрешающего сканирующего рефлектометра ВСР-100.
• ГСИ. Метрические параметры поверхности. Методика выполнение измерений с помощью сканирующей зондовой нанолаборатории Ntegra Prima.
• ГСИ. Ориентация образца, параметры элементарной ячейки и симметрия монокристаллов в области температур 90-490К. Методика выполнения измерений с помощью рентгеновского дифрактометра Xcalibur S.
• ГСИ. Пространственное распределение атомов в кристаллах. Методика выполнения измерений с помощью рентгеновского спектрометра АССВ.
• ГСИ. Измерение линейных размеров объектов в режиме изображения и межплоскостных расстояний в режиме дифракции. Методика выполнения измерений с помощью просвечивающего электронного микроскопа Tecnai G2 30 S-TWIN с рентгеновским спектрометром фирмы EDAX.
• ГСИ. Размеры наночастиц в полидисперсных системах и форма биомакромолекул в растворах. Методика выполнения измерений с помощью малоуглового рентгеновского дифрактометра Hecus “SAXS System 3”.
• ГСИ. Межплоскостные расстояния в кристаллах в диапазоне 0,1÷30 нм; распределение интенсивностей в дифракционных картинках. Методика выполнения измерений с помощью электронографа ЭМР-110К.
• ГСИ. Линейные размеры элементов топологии микрорельефа поверхности твердотельных материалов. Методика выполнения измерений с помощью растрового электронного микроскопа JSM-7401F.
• ГСИ. Размеры частиц и распределение частиц по размерам. Методика выполнения измерений с помощью растрового электронного микроскопа S-4800F.
• ГСИ. Размеры частиц и распределение частиц по размерам. Методика выполнения измерений с помощью растрового электронного микроскопа JSM-6460LV.
• ГСИ. Измерение линейных размеров объектов в режиме изображения и межплоскостных расстояний в режиме дифракции. Методика выполнения измерений с помощью просвечивающего электронного микроскопа JEM-2100.
• ГСИ. Метрические параметры поверхности. Методика выполнения измерений с помощью сканирующей зондовой нанолаборатории Ntegra Aura.
• ГСИ. Линейные размеры микро- и нанообъектов. Методика выполнения измерений с помощью растрового электронного микроскопа S-4800.
• ГСИ. Преобразователи акустической эмиссии. Методика поверки.
• ГСИ. Линейные размеры элементов топологии микрорельефа поверхности твердотельных материалов, регистрируемые в ионных и электронных пучках. Методика выполнения измерений с помощью микроскопа Quanta 200 3D.
• ГСИ. Метрические параметры полимерных микрокапсул в водных суспензиях. Методика выполнения измерений с  помощью оптического микроскопа Leica TCS SPE.
• ГСИ. Определение политипов монокристаллов карбида кремния. Методика выполнения измерений с помощью рентгеновского дифрактометра Xcalibur S с координатным детектором.

Национальные и межгосударственные стандарты, разработанные (разрабатываемые) ОАО "НИЦПВ" совместно с МФТИ, РНЦ "Курчатовский институт" и Институтом кристаллографии РАН

1. ГОСТ Р 8.628-2007 ГСИ. Меры рельефные нанометрового диапазона из монокристаллического кремния. Требования  к геометрическим формам, линейным размерам и выбору материала для изготовления.
2. ГОСТ Р 8.629-2007 ГСИ. Меры рельефные нанометрового диапазона с трапецеидальным профилем элементов. Методика поверки.
3. ГОСТ Р 8.630-2007 ГСИ. Микроскопы сканирующие зондовые атомно-силовые измерительные. Методика поверки.
4. ГОСТ Р 8.631-2007 ГСИ. Микроскопы электронные растровые измерительные. Методика калибровки.
5. ГОСТ Р 8.635-2007 ГСИ. Микроскопы сканирующие зондовые атомно-силовые. Методика калибровки
6. ГОСТ Р 8.636-2007 ГСИ. Микроскопы электронные растровые. Методика калибровки.
7. ГОСТ Р 8.644-2008 ГСИ. Меры рельефные нанометрового диапазона с трапецеидальным профилем элементов. Методика калибровки.
8. ГСИ. Межплоскостные расстояния в кристаллах в диапазоне 0,08-20,00 нм. Распределение интенсивностей в дифракционных картинах. Методика выполнения измерений.
9. ГСИ. Межплоскостные расстояния в кристаллах. Методика выполнения измерений с помощью просвечивающего электронного микроскопа.
10. ГСИ Интегральные структурные параметры наночастиц и кластеров в моно- и полидисперсных системах, толщина и период повторямости в тонких пленках. Методика выполнения измерений с помощью автоматического малоуглового рентгеновского дифрактометра.
11. ГСИ Эффективная шероховатость поверхности. Методика выполнения измерений с помощью сканирующего зондового микроскопа.

Межгосударственные стандарты (ГОСТ)

1. ГОСТ Р 8.628-2007 ГСИ. Меры рельефные нанометрового диапазона из монокристаллического кремния. Требования к геометрическим формам, линейным размерам и выбору материала для изготовления.
2. ГОСТ Р 8.629-2007 ГСИ. Меры рельефные нанометрового диапазона с трапецеидальным профилем элементов. Методика поверки.
3. ГОСТ Р 8.630-2007 ГСИ. Микроскопы сканирующие зондовые атомно-силовые измерительные.
4. ГОСТ Р 8.631-2007 ГСИ. Микроскопы электронные растровые измерительные. Методика поверки.
5. ГОСТ Р 8.635-2007 ГСИ. Микроскопы сканирующие зондовые атомно-силовые. Методика калибровки
6. ГОСТ Р 8.636-2007 ГСИ. Микроскопы электронные растровые. Методика калибровки.
7. ГОСТ Р 8.644-2008 ГСИ. Меры рельефные нанометрового диапазона с трапецеидальным профилем элементов. Методика калибровки.

Услуги, которые могут оказываться ЦКП другим научным организациям

1. Измерения параметров и характеристик объектов микро и нанотехнологий методами растровой электронной микроскопии, просвечивающей электронной микроскопии, сканирующей зондовой микроскопии, Рамановской и ИК-Фурье спектроскопии, рентгеновской дифрактометрии и лазерной итерферометрии.
2. Разработка и аттестация методик выполнения измерений в области микро и нанотехнологий, включая аттестацию методик выполнения измерений, разработанных сторонними организациями.
3. Исследования в области метрологического обеспечения микро- и нанотехнологий в интересах сторонних организаций.
4. Испытания средств измерений для целей утверждения типа в соответствии с областью аккредитации (см. сайт).
5. Поверка и калибровка средств измерений в соответствии с областью аккредитации.
6. Разработка методик поверки и калибровки средств измерений, применяемых в области нанотехнологий.
7. Разработка, исследование и аттестация стандартных образцов, предназначенных для метрологического обеспечения в области микро и нанотехнологий.
8. Разработка (участие в совместной разработке) стандартов и других нормативных и методических документов в области метрологического обеспечения микро и нанотехнологий.
9. Метрологическое сопровождение НИР и ОКР сторонних организаций в области микро и нанотехнологий.
10. Метрологическая экспертиза стандартов, продукции, проектной, конструкторской, технологической документации и других объектов.
11. Обучение специалистов сторонних организаций работе на приборно-аналитическом оборудовании ЦКП НИЦПВ, а также в области метрологического обеспечения микро и нанотехнологий.
12. Консалтинговые услуги в области деятельности ЦКП НИЦПВ (анализ измерительных задач, разработка рекомендаций по выбору измерительного и исследовательского оборудования, проведение различных экспертиз, консультаций и т.д.).

Материал предоставлен ЦКП НИЦПВ