Осаждение
Осаждение (англ. Deposition) – технологическая операция, в ходе которой материалы осаждаются в виде пленок на какую-либо подложку. Осаждением обычно получают тонкие проводящие или диэлектрические пленки. Диэлектрические пленки используются для формирования МОП-затворов, конденсаторов, тонкопленочных сопротивлений и межсхемных соединений в микроизделиях. Электроосаждение используется в LIGA-технологии для формирования гальванического покрытия на элементы подложки.
Тезаурус
Осаждение (Deposition)
Тематический раздел (поле): Функциональные наноматериалы с особыми физическими свойствами и высокочистые вещества; Композиционные материалы; Конструкционные материалы; Наноэлектроника; Наноинженерия; Метрология и стандартизация; Нанотехнологии для космической техники; Нанотехнологии для безопасности
Функциональный разряд: Действие (операция)
Аскрипторы: Химическое осаждение из газовой фазы, электродуговое осаждение из газовой фазы, ионное осаждение, лазерное химическое осаждение из газовой фазы, локализованное электро-химическое осаждениеОтношения иерархические (род-вид): Осаждение → Методы нанесения элементов наноструктур и наноматериалов → Получение, диагностика и сертификация наноразмерных систем
Отношения ассоциативные: Осаждение ~ Пар, Газ, Химическая реакция, Реагент, Монокристалл, Вискер, Термохимическая реакция, Подложка, Эпитаксиальные пленки, Диэлектрик
Литература по теме:
- Schropp, R.E.I.; B. Stannowski, A.M. Brockhoff, P.A.T.T. van Veenendaal and J.K. Rath. "Hot wire CVD of heterogeneous and polycrystalline silicon semiconducting thin films for application in thin film transistors and solar cells" (PDF). Materials Physics and Mechanics: 73–82.
- Jaeger, Richard C. (2002). "Film Deposition". Introduction to Microelectronic Fabrication. Upper Saddle River: Prentice Hall. ISBN 0-201-44494-7.
- Smith, Donald (1995). Thin-Film Deposition: Principles and Practice. MacGraw-Hill.
- Dobkin and Zuraw (2003). Principles of Chemical Vapor Deposition. Kluwer.
- ISO 3529/1-1981 Vacuum Technology - Vocabulary - part 1: General
| Версия для печати Дата обновления: 20:54 27.05.2009 | Обсудить на открытом форуме Обсудить на форуме участников ННС |
