Эпитаксия

Эпитаксия (англ. Epitaxy) – технология выращивания монокристаллических тонких пленок в соответствии с кристаллической структурой подложки. Строго говоря, рост всех кристаллов можно назвать эпитаксиальным: каждый последующий слой имеет ту же ориентировку, что и предыдущий. Для кремния различают хлоридную, гидридную, дихлорсилановую, смешанную эпитаксии. Гетероэпитаксия – вариант эпитаксии, при которой один тип материала эпитаксиально осаждается на другой тип материала, например Si. Особенно широкое распространение получила гетероэпитаксия в производстве полупроводниковых многослойных гетероструктур на подложках GaAs и InP. Гетероэпитаксиальные структуры нашли применение при изготовлении лазерных и СВЧ-микроустройств. Различают: жидкостную, газофазную и молекулярно-лучевую гетероэпитаксию. Гомоэпитаксия – вариант эпитаксии, при которой один тип материала эпитаксиально осаждается на подложку такого же типа материала. Другими словами, если материал эпитаксиального слоя и подложки идентичен (например, GaAs выращиваеют на GaAs-подложке), то такой процесс называется автоэпитаксиальным или гомоэпитаксиальным. Если же материалы эпитаксильного слоя и подложки различаются, процесс называется гетероэпитаксиальным. Ориентированный рост кристалла внутри другого кристалла называют эндотаксией.

Тезаурус

Эпитаксия (Epitaxy)

Тематический раздел (поле):  Наноэлектроника; Наноинженерия; Метрология и стандартизация

Функциональный разряд:  Действие (операция)

Аскрипторы:  Гомоэпитаксия, гетероэпитаксия, эндотаксия, молекулярно-лучевая эпитаксия, жидкостная эпитаксия, газофазная эпитаксия

Отношения иерархические (род-вид):  Эпитаксия → Методы осаждения слоев нанометровых толщин → Методы нанесения элементов наноструктур и наноматериалов → Получение, диагностика и сертификация наноразмерных систем → Нанотехнологии 

Отношения ассоциативные:  Эпитаксия ~ Нанотехнологии; Монокристаллическая пленка; Кремниевая подложка; Кристалл; Эпитаксиальный слой; Полупроводниковый слой; Многослойные гетероструктуры; Лазерные микроустройства; СВЧ– микроустройства

Литература по теме:

1. Палатник Л. С, Папиров И. И., Ориентированная кристаллизация, М., 1964; их же, Эпитаксиальные пленки, М., 1971; Современная кристаллография, т. 3, М., 1980.
2. A. Polman et. al., J. Appl. Phys., Vol. 75, No. 6, 15 March 1994
3. S. Mirabella et. al., Appl. Phys. Lett. 86, 2005
4. Jaeger, Richard C. (2002). "Film Deposition". Introduction to Microelectronic Fabrication. Upper Saddle River: Prentice Hall.