Ионная имплантация

Ионная имплантация (англ. Ion implantation) – технология внедрения в полупроводниковый материал ионизированных атомов (ионов), разогнанных в электрическом поле и обладающих энергией, достаточной для проникновения в приповерхностные области полупроводникового материала. Этот процесс намного более точен, чем диффузионный метод легирования. Аналогичное понятие – ионное внедрение. Это введение посторонних (примесных) атомов внутрь твердого тела путем бомбардирования его ионами. Это способ легирования полупроводников. Ионная имплантация применяется практически на каждой стадии легирования в технологии микрообработки при изготовлении МЭМС- и НЭМС-изделий. Установка имплантации состоит из следующих основных компонентов:

1) газовый источник вещества - газовый источник находится под высоким напряжением;

2) источник ионов, содержащий ионную плазму частиц при давлении 1 Па или меньше;

3) насос для создания низкого давления, обеспечивающий перемещение ионов с малым рассеянием ионизированного газа;

4) магнитный анализатор ионов по массе, отбирающий только нужные частицы;

5) разрешающая щель (апертурная диафрагма), через которую проходят ионные частицы и затем попадают в ускоряюшую трубку;

6) ускоряющая трубка, после прохождения которой ионный пучок подготовлен к бомбардировке мишени;

7) отклоняющие пластины, к которым приложено пилообразное напряжение, для сканирования ионного пучка и обеспечения однородности внедрения ионов по площади мишени;

8) камера с мишенями (полупроводниковыми пластинами).

Тезаурус

Ионная имплантация (Ion implantation)

Тематический раздел (поле):  Наноэлектроника, Наноматериалы, Наноинженерия

Функциональный разряд:  Действие/технология

Аскрипторы:  Ионное внедрение

Отношения иерархические (род-вид):  Ионная имплантация → Методы формирования наноструктурированных полупроводниковых материалов → Методы формирования наноматериалов → Получение, диагностика и сертификация наноразмерных систем → Нанотехнологии

Отношения ассоциативные:  Ионная имплантация ~ Легирование, Примесные атомы, Легирование полупроводников, НЭМС-изделие, Бомбардировка ионами

 

Литература по теме:

1. Х. Риссел, И. Руге. Ионная имплантация. Пер. с нем. М., Наука, 1983.
2. Мальцев П. П., и др. «Нанотехнологии. Наноматериалы. Наносистемная техника», Москва, изд. Техносфера, 2008 г., 430 с.