|
 |
Молекулярно-лучевая эпитаксия (молекулярно-пучковая эпитаксия) (англ. Molecular beam epitaxy) – технология осаждения эпитаксиальных пленок полупроводников посредством испарения материалов при низком давлении. Позволяет изготавливать эпитаксиальные структуры с высокой точностью по толщине и почти идеальной стехиометрией. Последнее объясняется относительно невысокой скоростью технологического процесса и возможностью буквально послойного формирования осаждаемых пленок: атом за атомом встраивается в кристаллическую решетку. Чаще всего по этой технологии получают эпитаксиальные пленки сложных полупроводников. Примеры: получение InGaAsP, InGaAs и др. для оптической и квантовой электроники. Для процесса эпитаксии необходимы специальные хорошо очищенные подложки с атомарногладкой поверхностью. Технология молекулярно – лучевой эпитаксии была создана в конце 1960-х годов Дж. Артуром и Альфредом Чо. Молекулярно-лучевая эпитаксия позволяет получать следующие структуры с пониженной размерностью:
1. Нульмерные - квантовые точки;
2. Одномерные – квантовые нити (квантовые проволоки);
3. Двумерные – квантовые ямы, сверхрешетки, плоские волноводы. |
| Система молекулярно-пучковой эпитаксии |
Тезаурус
Молекулярно-лучевая эпитаксия (Molecular beam epitaxy)
Тематический раздел (поле): Функциональные наноматериалы с особыми физическими свойствами и высокочистые вещества; Наноэлектроника; Наноинженерия; Метрология и стандартизация
Функциональный разряд: Действие (операция)
Аскрипторы: Эпитаксия, гетероэпитаксия, гомоэпитаксия, автоэпитаксия, эндотаксия
Отношения иерархические (род-вид): Молекулярно-лучевая эпитаксия → Эпитаксия → Методы осаждения слоев нанометровых толщин→ Методы нанесения элементов наноструктур и наноматериалов → Получение, диагностика и сертификация наноразмерных систем → Нанотехнологии
Отношения ассоциативные: Молекулярно-лучевая эпитаксия ~ Эпитаксия, Нанотехнологии, Квантовые точки, Квантовые нити, Квантовые ямы, Сверхрешетки, Монокристаллическая пленка, Кремниевая подложка, Кристалл; Эпитаксиальный слой, Полупроводниковый слой, Эпитаксиальная пленка
Литература по теме:
- Stangl, J.; V. Holý and G. Bauer (2004). "Structural properties of self-organized semiconductor nanostructures". Rev. Mod. Phys. 76 (3): 725–783
- Shchukin, Vitaliy A.; Dieter Bimberg (1999). "Spontaneous ordering of nanostructures on crystal surfaces". Rev. Mod. Phys. 71 (4): 1125–1171
- Jaeger, Richard C. (2002). "Film Deposition". Introduction to Microelectronic Fabrication. Upper Saddle River: Prentice Hall
|
