Плазмостимулированное химическое осаждение из газовой (паровой) фазы

Плазмостимулированное химическое осаждение из газовой (паровой) фазы (плазмохимическое осаждение) (англ. Plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD)) – процесс обработки полупроводниковых пластин, в ходе которого в реакторе создается плазма. Последняя предназначена для увеличения энергии, необходимой для протекания химической реакции на границе раздела «газовая фаза – поверхность подложки». В результате химической реакции на поверхности полупроводниковой пластины из газовой фазы осаждается тонкая пленка требуемого вещества. При этом температура подложки составляет от 100 до 400 градусов. Примеры пленок – двуоксид кремния, нитрид кремния, оксинитрид кремния и др. Основное применение пленок – для пассивации кристаллов микроизделий. Исходные вещества для химического осаждения пленок – моносилан, дихлорсилан, кислород, аммиак, закись азота и др.

Автоматизированная шлюзовая установка плазмостимулированного осаждения слоев из газовой фазы

Тезаурус

Плазмостимулированное химическое осаждение из газовой (паровой) фазы (плазмохимическое осаждение) (Plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD))

Тематический раздел (поле): Функциональные наноматериалы, Композиционные материалы, Конструкционные материалы, Наноэлектроника, Наноинженерия, Нанотехнологии для космической техники, Нанотехнологии для безопасности

Функциональный разряд: Действие/Технология

Аскрипторы: Химическое осаждение из газовой фазы, электродуговое осаждение из газовой фазы, ионное осаждение, лазерное химическое осаждение из газовой фазы, локализованное электро-химическое осаждение

Отношения иерархические (род-вид): Плазмостимулированное химическое осаждение из газовой (паровой) фазы → Методы нанесения элементов наноструктур и наноматериалов → Получение, диагностика и сертификация наноразмерных систем

Отношения ассоциативные: Плазмостимулированное химическое осаждение из газовой (паровой) фазы ~ Плазма, Химический реактив, Пар, Газ, Монокристалл, Термохимическая реакция, Подложка, Эпитаксиальные пленки, Полупроводник, Осаждение

Литература по теме

1. Smith, Donald (1995). Thin-Film Deposition: Principles and Practice. MacGraw-Hill
2. Lieberman and Lichtenberg (1994). Principles of Plasma Discharges and Materials Processing. Wiley
3. Dobkin and Zuraw (2003). Principles of Chemical Vapor Deposition. Kluwer