Плазмостимулированное химическое осаждение из газовой (паровой) фазы

Плазмостимулированное химическое осаждение из газовой (паровой) фазы (плазмохимическое осаждение) (англ. Plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD)) – процесс обработки полупроводниковых пластин, в ходе которого в реакторе создается плазма. Последняя предназначена для увеличения энергии, необходимой для протекания химической реакции на границе раздела «газовая фаза – поверхность подложки». В результате химической реакции на поверхности полупроводниковой пластины из газовой фазы осаждается тонкая пленка требуемого вещества. При этом температура подложки составляет от 100 до 400 градусов. Примеры пленок – двуоксид кремния, нитрид кремния, оксинитрид кремния и др. Основное применение пленок – для пассивации кристаллов микроизделий. Исходные вещества для химического осаждения пленок – моносилан, дихлорсилан, кислород, аммиак, закись азота и др.


Автоматизированная шлюзовая установка плазмостимулированного осаждения слоев из газовой фазы


Тезаурус

Плазмостимулированное химическое осаждение из газовой (паровой) фазы (плазмохимическое осаждение) (Plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD))

Тематический раздел (поле): Функциональные наноматериалы, Композиционные материалы, Конструкционные материалы, Наноэлектроника, Наноинженерия, Нанотехнологии для космической техники, Нанотехнологии для безопасности

Функциональный разряд: Действие/Технология

Аскрипторы: Химическое осаждение из газовой фазы, электродуговое осаждение из газовой фазы, ионное осаждение, лазерное химическое осаждение из газовой фазы, локализованное электро-химическое осаждение

Отношения иерархические (род-вид): Плазмостимулированное химическое осаждение из газовой (паровой) фазы → Методы нанесения элементов наноструктур и наноматериалов → Получение, диагностика и сертификация наноразмерных систем

Отношения ассоциативные: Плазмостимулированное химическое осаждение из газовой (паровой) фазы ~ Плазма, Химический реактив, Пар, Газ, Монокристалл, Термохимическая реакция, Подложка, Эпитаксиальные пленки, Полупроводник, Осаждение

Литература по теме

  1. Smith, Donald (1995). Thin-Film Deposition: Principles and Practice. MacGraw-Hill
  2. Lieberman and Lichtenberg (1994). Principles of Plasma Discharges and Materials Processing. Wiley
  3. Dobkin and Zuraw (2003). Principles of Chemical Vapor Deposition. Kluwer  

 

 

Версия для печатиОбсудить на открытом форуме
Обсудить на форуме участников ННС
Интерактивная карта
Подписка на новости
Календарь новостей
   1234
567891011
12131415161718
19202122232425
262728293031 
<< июн 2010 | авг 2010 >>