Фоторезист

Фоторезист (англ. Photoresist) (от фото и англ. resist) – полимерный светочувствительный материал. Наносится на обрабатываемый материал в процессе фотолитографии или фотогравировки с целью получить соответствующее фотошаблону расположение окон для доступа травящих или иных веществ к поверхности обрабатываемого материала. Фоторезист – светочувствительный материал, используемый для переноса рисунка. В фотолитографической технологии производства МЭМС и НЭМС различают фоторезисты: негативные, позитивные, многослойные и неорганические. Некоторые характеристики фоторезистов: получаемые разрешения при использовании позитивных фоторезистов <1 мкм, негативных фоторезистов >3мкм; максимальная толщина позитивного резиста – несколько микрометров, негативного >10 мкм; стабильность: низкая для позитивного и хорошая для негативного; после воздействия экспонирующего облучения растворимость негативных фоторезистов в проявителе уменьшается, позитивных фоторезистов – увеличивается. Например, позитивный фоторезист – это новолак, негативный – полиизопрен. Многослойные фоторезисты: в связи с тем, что использование очень тонких пленок резиста приводит к улучшению разрешения, а согласно требованиям технологии изготовления микро- и наноизделий требуется применение толстых пленок, возникает необходимость в разработке систем многослойных резистов. Системы многослойных резистов могут быть разделены на две категории: когда не менее двух слоев используются в качестве резиста и эти слои экспонируются и проявляются; когда только один верхний слой служит резистом, а другие слои удаляют, при этом верхний резист служит шаблоном. Неорганические фоторезисты: резистами могут служить стеклообразные пленки германия GeSe. Применение резистов GeSe в системе многослойных резистов позволяет создавать микроизделия с размерами элементов много менее 1 мкм на существующих оптических литографических установках.

Пленочный фоторезист

Тезаурус

Фоторезист (Photoresist)

Тематический раздел (поле):  Наноэлектроника, Наноинженерия

Функциональный разряд:  Объект

Аскрипторы:  Светочувствительный материал, позитивный фоторезист, негативный фоторезист

Отношения иерархические (род-вид):  Фоторезист → Фотолитография → Локальная модификация и стабилизация наноструктур → Получение, диагностика и сертификация наноразмерных систем 

Отношения ассоциативные:  Фоторезист ~ Полимер, Фотолитография, Фотошаблон, Новолак, Полиизопрен, Многослойные фоторезисты

Литература по теме:

1. У. Моро. Микролитография. В 2-х ч. М., Мир, 1990.
2. J. J. Belbruno et al., Chem. Phys. Lett., 166, 167 (1990).
3. M. Braun et al., Chem. Phys., vol. 329, 148-162 (2006).
4. D. van Steenwinckel et al., J. Vac. Sci. Tech. B, vol. 24, 316-320 (2006). 
5. L. V. Lukin and A. A. Balakin, Chem. Phys. vol. 265, 87-104 (2001).
6. Статья Фоторезист  из Википедии, свободной энциклопедии. Доступно под лицензией Creative Commons Attribution-Share Alike