Плазменное травление

Плазменное травление (англ. Plasma etching) – метод переноса рисунка фоторезиста на соответствующие слои полупроводниковой структуры. Метод заключается в селективном удалении немаскированных участков фоторезиста - травлении. Сухое травление называют также плазменным травлением. Подразумевается использование в этих методах плазмы в виде газовых разрядов при низком давлении. Была обнаружена возможность применения плазменного травления как способа, отличающегося высокой анизотропией травления. Зафиксировано значительное превышение скорости вертикального травления над скоростью бокового травления. Анизотропия является важным фактором, обусловливающим высокое разрешение при переносе рисунка. Особенно большой интерес анизотропия плазменного травления вызывает у инженеров, работающих в направлении повышения степени интеграции за счет уменьшения размеров схемных элементов. Другим серьезным положительным фактором пламенного травления является высокая селективность (избирательность) травления. Процессы травления, применяемые для переноса рисунков, должны быть в высокой степени селективными: в идеальном случае ни маска фоторезиста, ни созданные на предыдущих этапах технологические слои не должны подвергаться воздействию травящей среды. Методы плазменного (сухого) травления, основанные на использовании реакционноспособных газов, наилучшим образом обеспечивают эти требования, предъявляемые к селективности. Плазменное травление может осуществляться разными методами: ионным травлением и методами реактивного травления. Методы ионного травления включают: ионно-лучевое травление, ионно-плазменное травление. Процесс ионного травления происходит исключительно по механизму физического распыления. Реактивные методы травления включают: реактивное собственно плазменное травление, реактивное ионно-лучевое травление и реактивное ионно-плазменное травление. Реактивные методы основаны на сочетании химических реакций (в ходе которых образуются летучие соединения) и физических взаимодействий, таких как ионная бомбардировка. При ионно-лучевом травлении используют ионы инертных газов, а при реактивном ионно-лучевом травлении вместо инертных газов источником ионов служат молекулярные газы, содержащие один или более атомов галогенов в своих молекулах.

Тезаурус

Плазменное травление (Plasma etching)

Тематический раздел (поле):  Функциональные наноматериалы с особыми физическими свойствами и высокочистые вещества; Наноэлектроника; Наноинженерия; Метрология и стандартизация; Нанотехнологии ТЭК; Нанотехнологии для безопасности

Функциональный разряд: Действие (операция)

Аскрипторы:  Реактивно-ионное травление, сухое травление, жидкостное травление, селективное травление, глубинное реактивное ионно-плазменное травление, реактивное ионно-лучевое травление, анизотропное травление, ионно-лучевое травление, ионно-плазменное травление, изотропное травление

Отношения иерархические (род-вид):  Плазменное травление → Травление → Локальная модификация наноструктур → Получение, диагностика и сертификация наноразмерных систем

Отношения ассоциативные:  Плазменное травление ~ Полупроводник, Микрорельеф, Травление, Маска, Селективный процесс, Подложка, Плазма, Нанотехнология

Литература по теме:

1. Wolf, S.; R.N. Tauber (1986). Silicon Processing for the VLSI Era: Volume 1 - Process Technology. Lattice Press. pp. 531–534.
2. Wolf, S.; R.N. Tauber (1986). Silicon Processing for the VLSI Era: Volume 1 - Process Technology. Lattice Press. p. 546.
3. Bahadur, Birendra (1990). Liquid Crystals: Applications and Uses. World Scientific. p. 183.
4. Walker, Perrin; William H. Tarn (1991). CRC Handbook of Metal Etchants. pp. 287–291.
5. Kohler, Michael (1999). Etching in Microsystem Technology. John Wiley & Son Ltd. p. 329.
6. В. В. Усова, Т. П. Плотникова, С. А. Кушакевич. Травление титана и его сплавов.
7. М. Беккерт, Х. Клемм. Способы металлографического травления. Справочник.